可能出现的其他描述为：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手动调整你的内存时序，你应该关闭它，之后会自动出现详细的时序参数列表。 Bank Interleaving（可能的选项：Off/Auto/2/4） 这里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的内存芯片都是由4个L-Bank所组成，为了最大限度减少寻址冲突，提高效率，建议设为4（Auto也可以，它是根据SPD中的L-Bank信息来自动设置的）。 Burst Length“突发长度”（可能的选项：4/8） 一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4单通道平台，建议设为8，如果是Pentium4或AMD 64的双通道平台，建议设为4。但具体的情况要视具体的应用而定。 CAS Latency “列地址选通脉冲潜伏期”（可能的选项：1.5/2/2.5/3） BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。 Command Rate“首命令延迟”（可能的选项：1/2） 这个选项目前已经非常少见，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长 。目前的大部分主板都会自动设置这个参数，而从上文的ScienceMark 2.0测试中，大家也能察觉到容量与延迟之间的关系。 RAS Precharge Time “行预充电时间”（可能的选项：2/3/4）
BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。 RAS-to-CAS Delay“行寻址至列寻址延迟时间”（可能的选项：2/3/4/5） BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。 Active to Precharge Delay“行有效至行预充电时间”（可能的选项：1……5/6/7……15） BIOS 中的可能其他描述：tRAS、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay等。根据上文的分析，这个参数要根据实际情况而定，具体设置思路见上文，并不是说越大或越小就越好。
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