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一步成高手:终极图解内存(下篇)

日期:2007年8月17日 作者: 查看:[大字体 中字体 小字体]



QBM的工作时序图,第二个P-Bank的工作时钟与第一个P-Bank相差90度(1/4周期),这样在第一个P-Bank时钟的高/低电平中部就是第二个P-Bank的触发点,两者都是DDR传输,从而在一个时钟周期内完成4次数据触发,实现四倍带宽

为了控制两个P-Bank中同一位置的芯片交错工作,模组上要为每组芯片(在QBM模组上,一个P-Bank位于一侧,两个P-Bank中位置相对的芯片为一组)设置一个开关,以控制不同P-Bank间的通断。并且还要为延迟1/4周期的P-Bank提供一个PLL以保证相位差的准确性。



QBM的设计是非常巧妙的,经过对现有的DDR模组的改装,配合新的芯片组即可将带宽提高一倍,有点类似于32bit RIMM,在一个模组上实现了双通道的功能,只是QBM不是双通道并发,而是双通道交错,通过更高的传输频率实现高带宽。但是新增加的开关与PLL元件将增加一定的成本,不过与其所能提供的带宽相比,还是比较划算的。



一步成高手:终极图解内存(下篇)(图六十)
点击查看大图


Kentron公司给出的QBM与其他内存方案的成本比较表,从中可以看出QBM有较高的性价比

但是,开关元件的同步性对于QBM是个考验,时钟频率越高,对开关的控制精度就越高。目前,有不少大牌的模组厂商(如Infineon)都在论证QBM的可行性与可靠性,据部分厂商透露,在使用DDR-333或之前标准时,QBM的表现良好,但到了DDR-400,QBM的可靠性就会降低,如果克服这一个问题,那么延迟又会大幅提高。所以,QBM目前的可行标准是QBM533(DDR-266)和QBM667(DDR-333)。VIA在P4X800中将要支持的标准也是QBM533,虽然不能使用DDR-400,但它的5.4GB/s带宽(QBM667)在目前仍是无敌的。

不过,由于QBM是针对模组的技术,所以理论上QBM可适用于任何DIMM,包括SDRAM和DDR-Ⅱ的DIMM,Kentron也有此计划研制QBM型DDR-Ⅱ DIMM,以保持QBM的生命力。另外,Kentron已将QBM标准上报JEDEC审批,目前还不知能否通过。很多模组厂商也都在观望,毕竟QBM转产是很容易的,就看市场情况了。所以,QBM虽然设计巧妙,但得到的支持并不强劲,以Kentron及QBM联盟的生产能力,显然不足以完成普及任务,一切就看P4X800的市场效果了。

三、模组的堆叠装配

当内存芯片容量无法迅速提高的时候,高容量模组如何设计就体现了厂商间的真正实力,由于高容量模组针对的是高端应用市场,所以谁能在容量上有所突破就意味着滚滚商机。就模组而言,芯片基本是固定的,所以芯片堆叠装配(Stack Assembly)技术就是增加容量的首选。

这方面除了Elpida、Kentron、Kingston等公司较早以前提出的TCP、FEMMA、EPOC等堆叠形式外(已有多篇文章介绍过,在此不再重复),著名的封装技术开发商Tessera公司(它在1990年因研制出CSP封装而闻名于世)近期宣布了他们的4枚芯片堆叠装配的模组技术(TCP与EPOC都是两芯片堆叠)——μZ Package,当然,芯片本身的封装也要有相应的调整。而Infineon公司也推出了普通TSOP-II技术的双芯片堆叠装配技术。显然,模组厂商都想利用有限的空间(毕竟在主板上插槽之间的距离是有限的)尽量提高装配容量,若再配合SiP封装形式的内存芯片,DIMM的扩容就如虎添翼了。


一步成高手:终极图解内存(下篇)(图六十一)

Infineon的采用TSOP-II堆叠封装的模组,容量高达2GB


一步成高手:终极图解内存(下篇)(图六十二)

Tessera公司为高容量模组开发的4枚芯片堆叠装配技术μZ Package

一篇文章分2贴发,的确不太好,文章太长没办法。希望对大家有帮助,相信你看完就能成为高手了。

(出处:清风网络学院


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